“中國(guó)芯”即將在武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)面世
編輯: 王瑞穎 | 時(shí)間: 2018-08-06 10:06:37 | 來(lái)源: 中國(guó)新聞網(wǎng) |
4日,在位于武漢東湖高新區(qū)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(國(guó)家存儲(chǔ)器基地),紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露,中國(guó)首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
資料圖:民眾在展會(huì)上了解參展商展示的芯片。 中新社記者 張斌 攝
據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2017年成功研發(fā)中國(guó)首顆32層三維NAND閃存芯片,并獲得中國(guó)電子信息博覽會(huì)(CITE2018)金獎(jiǎng)。
這顆芯片,耗資10億美元,由1000人團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年自主研發(fā),是中國(guó)主流芯片中研發(fā)制造水平最接近世界一流的高端存儲(chǔ)芯片,實(shí)現(xiàn)了中國(guó)存儲(chǔ)芯片“零”的突破。
刁石京介紹,目前,芯片生產(chǎn)設(shè)備正在進(jìn)行安裝調(diào)試,今年第四季度,32層三維閃存芯片將在一號(hào)芯片生產(chǎn)廠房進(jìn)行量產(chǎn)。此外,64層三維閃存芯片研發(fā)也在緊鑼密鼓地進(jìn)行,計(jì)劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
刁石京表示,中國(guó)芯片技術(shù)落后于世界,但自主研發(fā)的腳步始終沒(méi)有停止,兩代芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后將縮短與美國(guó)、日本、韓國(guó)等國(guó)家在存儲(chǔ)芯片上的差距。
據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省科技投資集團(tuán)共同投資建設(shè),負(fù)責(zé)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目。
根據(jù)規(guī)劃,至2023年,基地產(chǎn)能將達(dá)到每月30萬(wàn)片,并形成設(shè)計(jì)、測(cè)試、封裝、制造、應(yīng)用等上下游集群。(中新社武漢8月4日電 記者 張芹)
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